FD-491多普勒胎心監護儀

動態 RAM陣列 動態 RAM 是構成以上提到的兩種不同結構的圖像存心、由于超聲圖像存儲器的容量大，因此通常選用大容量動態 RAM心片來構成 RAw的。用的有如4116（16K×1bit）、4816（16Kx×1bit）和4416（64K×1bit）等。這些動態R啊共同的特點都是16 腳管座標準封裝，因而它們的引腳數較少。而選擇 16K態以W的 14 位地址（2"=16 384）、選擇64K存儲單元16位地址信息（2"=65 536），顯然它代都不夠用。為此總是把地址信息分兩次鎖存到芯片內部，再共同譯碼訪問*的夜汕比如16K容量的4116，可以把14 位地址分成兩組7位的地址信息，分兩次傳送公W片內部的地址鎖存器。兩個地址鎖存器個稱為行地址鎖存器，個稱為列地址輔A別由RAS和CAS信號進行選通，因此RAS稱為行地址選通信號，CAS稱為列地址選通"寫允許 WE（或用R/W表示）信號決定對RAM芯片進行寫操作還是讀操作。當WE;平時允許寫入數據，數據輸入Dn上的輸入數據寫進被選中的存儲單元;當WE為高》為讀出數據 把選中的存儲單元數據送到數據輸出端 Dour。當然，并不是每種RAM芯雙數據口。

除了上面提到的讀、寫兩種操作之外，動態 RAM 還有種特殊的操作方式，即讀（RMW）操作方式。它是緊跟在次讀出操作之后再進行次寫入操作，兩次操作有腿地址。個RWM周期比個讀或寫周期長，但比進行次讀和次寫操作的時間之，這是因為 RMW 操作中，由讀出狀態變為寫入狀態后，不需要再等待地址信息的穩定 RAM的這種 RMW操作方式是種很有用的操作方式，它在 B超圖像存儲器中，潮現圖像的幀相關（后兩幀圖像的平滑）處理。

由動態 RAM 芯片構成的存儲器還有兩個需要提及的問題∶其是操作周期的設定，分出的是讀或寫操作周期的小值，實際設計值必須要留有余量;即RAS的周期必芯片的讀、寫周期Tcv，否則將可能造成數據的不穩定;其二是數據刷新問題，弧 M須定期地進行數據刷新，比如4816 要求每2ms 對所有的存儲單元刷新次，才眺不至于丟失。刷新般是通過執行只有RAS的動態存儲器周期來實現的，但在對行讀或寫操作的過程中，被訪問行的全部存儲單元也將被自動刷新，因此，對B愈編刷新問題可以通過對存儲器寫入單元地址的合理安排來解決，并不需要像訂界門的刷新電路。

批準文號：***械注進20142075520

有效期至:2024-08-12

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